三星电子已开始开发先进的星研极端紫外线（EUV）pellicle，以缩小与制造竞争对手台积电的发下市场份额差距。

该公司的代E大增半导体研究所最近发布了一份招聘通知，以开发一种满足92%的关键EUV透射率的pellicle。该公司在2021年10月举行的技术三星制造论坛上表示：“我们已经开发了一种EUV透射率为82%的pellicle，并计划在年底前将透射率提高到88%。良率”

目前，星研三星电子公司已经开发了一种透射率为88%的发下pellicle。

这意味着这家韩国科技巨头在大约一年内实现了目标，代E大增并提出了一个新的关键发展路线图，将传输率提高4个百分点。技术

三星电子还开始研究高数孔径（NA）的良率pellicle，这被称为下一代EUV工艺。星研

该公司在最新的发下招聘通知中提到了基于新材料的下一代pellicle的开发。

它宣布将与外部研究机构合作开发和评估由碳纳米管和石墨烯制成的代E大增EUVpellicle。该公司还计划挑选研究人员，负责设计该公司自行开发的纳米石墨薄膜（NGF）的大规模生产设施。

一位分析师表示：“三星电子推动EUVpellicle的开发旨在迅速赶上排名第一的制造公司台积电。”

EUVpellicle是曝光过程中使用光在半导体晶圆上打印电路形状所必需的材料。它们用作遮盖物，阻止异物附着在口罩上。

pellicle通过最大限度地减少过程中的缺陷和延长昂贵口罩的使用寿命来帮助降低成本。

然而，由于大多数材料吸收的EUV光的特点，商业化很困难。专家表示，尽管三星电子提高了pellicle技术水平，但它尚未将这种材料引入其晶圆代工/DRAM生产线，认为将这种材料应用于批量生产线还为时过早。

自2019年以来，三星电子的竞争对手台积电一直在其批量生产线上使用自己开发的EUVpellicle。这家台湾制造巨头于2021年宣布，它将比2019年增加20倍的EUVpellicle生产能力。

韩国公司，有望显著提升EUV良率

一家韩国小公司开发出一种材料，有望显着提高荷兰半导体设备公司 ASML 的极紫外 (EUV) 光刻设备的良率。

半导体和显示材料开发商石墨烯实验室于11月14日宣布，其已开发出用石墨烯制造小于5纳米的EUV薄膜（pellicles）的技术，并已准备好量产新型薄膜。

“以前，薄膜是由硅制成的。但我们使用了石墨烯，”Graphene Lab 首席执行官 Kwon Yong-deok 说。

“对于使用 ASML 的 EUV 光刻设备的半导体公司来说，石墨烯薄膜将成为良率的助推器。”

薄膜是一种薄膜，可保护光掩模表面免受空气中分子或污染物的影响。对于5纳米或以下的超微制造工艺至关重要。它是一种需要定期更换的消耗品。

由于EUV设备的光源波长较短，因此薄膜需要较薄以增加透光率。此前，硅已被用于制造薄膜，但石墨烯是一种更好的材料，因为它比硅更薄、更透明。

EUV 薄膜必须能够承受曝光过程中发生的 800 度或更高的高温。由于其在高温下的硬化特性，硅胶非常容易破裂。

全球薄膜市场预计到 2024 年将达到 1 万亿韩元。“三星电子、台积电和英特尔是石墨烯实验室的潜在客户，”首席执行官 Kwon 说。

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