台积电在4月14日第一季度的台积电话会议上表示，正全力以赴地开发下一代芯片制造工艺。电放目前这个半导体巨头计划在下半年量产3nm工艺芯片。言n艺将依旧其2nm工艺芯片最早将会在2025年投产。领先

在这次电话会议上，年投台积电CEO魏哲家回应了大家两个问题。台积一是电放关于台积电应对通货膨胀与整个经济形势的问题。魏哲家回答说，言n艺将依旧台积电作为全球领先的领先代工企业，有能力应对市场波动。年投

二是台积有关台积电2nm工艺节点的时间表问题，魏哲家表示，电放其公司的言n艺将依旧2nm工艺正在研发中，有信心在2nm工艺依旧保持技术领先地位，领先该工艺将会在2024年开始预生产，年投与于2025年正式投产。

据悉，台积电将会在2nm工艺上采用GAA FET（全环绕栅极晶体管），取代finFET （鳍式场效应晶体管）。目前三星为了和台积电竞争，做法比较激进，将会在3nm工艺就用上GAA技术。而台积电为了提供给客户最成熟的技术、最好的效能及最佳的成本，保守的选择finFET技术生产3nm工艺芯片。

台积电预测，HPC（高性能计算）将会是其今年增长最快的领域。上一季度HPC占其收入的41%，仅比智能手机产生的40%略高。物联网和汽车分别以了8%和5%的收入占比，排在第三和第四位。

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